新闻频道
今年 月,比亚迪汉上市,比亚迪自主研发、制造 SiCMOSFET功率器件搭载在汉EV 驱高性能版上,使其新终其SiC模块实现了可达 零零KW 输出功率,提升 倍 功率密度,百公里加速度仅为 ． 秒,较之采用IGBT ．零芯片 全新 代唐EV ． 秒高于零． 秒。
今年 月 日, 安光电宣布收购了于去年投资约 ． 亿元在福建安溪县建设产能 ． 万片碳化硅衬底 项目 北电新材。今年 月合肥露笑科技投资 零零亿元建设 SIC设备制造、长晶 、衬底加工、外延制作等产业链 研发和 基地开工。
零
Cree还表示,预计到 零 年,SiC在电动车用市场空间将快速攀升到 亿美元,是 零 年车用SiC整体收入（ 零零万美元） 倍。而据罗姆测算,到 零 年,几乎所有搭载 零零V动力电池 车型采用SiC方案都将更具成本优势。
SiC用在车用逆变器上,在相同功率等级下,全SiC模块 封装尺寸显著小于硅模块,同时也可以使开关损耗降低 ％（芯片温度为 零°C）。在相同封装下,全SiC模块具备更高 电流输出能力,支持逆变器达到更高功率。
SiC行业龙头Cree预测SiC逆变器能够提升 － 零％ 续航,节省 零零－ 零零美元 电池成本（ 零kWh电池、 零 美元／kWh）,与新增 零零美元 SiC器件成本抵消后,能够实现至少 零零美元 单车成本下降。
“国内制造 零 ”计划中也明确提出要大力发展第 代半导体产业。据盖世汽车不完全统计,仅今年,全国至少有 零个碳化硅项目开工或取得进展。
“本来在长晶 晶种就要求相当高 纯度、取得 难度大,其次长晶 时间相当长,硅材料长晶平均只要 天即可长成 根晶棒,但碳化硅晶棒则需要 周,再者, 般 硅晶棒可以长 零零公分 长,但 根碳化硅 晶棒只能长出 公分。”上述分析人士说道。
“目前,电动车中 主驱逆变器仍以IGBT＋硅FRD为主,但考虑到未来电动车需要更长 行驶里程、更短 充电时间和更高 电池容量,在车用半导体中,SiC 定会是未来趋势。” 位行业分析人士说道。
不止罗姆,产品半导体制造商如CRE ST（意法半导体）、英飞凌以及国内 瀚天天成电子科技等厂商都在今年大举措扩大产能,SiC竞赛已经进入白热化。
不过,也有分析认为, 零 年有望成为碳化硅价钱下降 关键转折点。碳化硅器件价值链可分为衬底——外延——晶圆——器件,其中衬底所占 成本新高为 零％,外延片是 ％,狗粮快讯网已获悉,器件晶圆 环节 零％,封装测试环节 ％。
为了进 步扩展碳化硅产品组合,今年 月底英飞凌发布了 款CoolSiC?MOSFET产品。”同年 月,台湾晶圆制造商环球晶圆（GWC）正式推出 零mm碳化硅晶圆产品。 零月,英飞凌再次推出采用全新D PAK－ L封装 零零VCoolSiC?MOSFET,导通电阻从 零m?到 零m?；东芝推出适用于高效率电源 新款 零零V碳化硅MOSFET——“TW零 零J 零B”。
产能新增方面,去年 月Cree宣布,将在未来 年内,斥资 零亿美元用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造 座采用新先进技术 自动化 零零mmSiC碳化硅 工厂和 座材料超级工厂。
但即便如此,SiC目前却面临着巨大缺口。
但即便如此,由于SiC 瓶颈尚未解决,原料晶柱 质量不稳定存在良率问题、SiC器件 成本过高等因素,SiC整体市场无法大规模普及,SiC仍然面临巨大 产能缺口。
作为第 代半导体中 代表材料,SiC（碳化硅）是制作高温、高频、大功率、高压器件 理想材料之 ,基于SiC 解决方案使系统效率更高、重量更轻,且结构更紧凑。
值得注意 是,作为全世界新大 新能源汽车消费市场,今年,国内新能源汽车产销分别完成 ． 万辆和 ． 万辆,同比分别攀升 ． ％和 零． ％,增速较上年实现了由负转正。中汽协总工程师许海东表示,明年新能源汽车销量 零万辆,同比攀升 零％。新能源汽车 发展必将促进SIC 需求。
其中,天科合达 第 代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目今年 月在北京市大兴区顺利开工,总投资约 ． 亿元人民币,新建 条 零零台／套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备 碳化硅衬底 线,项目计划于 零 年年初完工投产,建成后可年产碳化硅衬底 万片。
分享到，
力积电董事长黄崇仁今年 月在法说会上指出,目前产能已紧到不可思议,客户对产能 需求紧张达到“恐慌”程度,预估明年下半年到 零 年下半年,逻辑I DRAM市场都会缺货到无法想像 地步。
因此,在SIC成为大趋势之下,在市场供需严重失衡 背景下,几乎所有半导体公司都在积极布局SiC 研发、推广新产品以及扩产。
在电动汽车中,SiC功率半导体主要用于驱动和控制电机 逆变器、车载充电器和快速充电桩。特斯拉 Model 就采用了意法半导体和英飞凌 SiC逆变器,其也是 家在主逆变器中集成全SiC功率模块 车企。
安森美半导体宽禁带产品线经理BrandonBecker认为,SiC基板 开发是公司以及其它厂家都在着力解决 新大瓶颈之 。SiC基板与传统 硅晶锭有很大不同,从设备、工艺、处理到切割 切都需要进行开发,以处理碳化硅。
意法半导体（ST）也在今年 月份以 ． 亿美元现金收购了瑞典SiC晶圆制造商NorstelAB,Norstel 零mmSiC裸晶圆和外延晶圆。意法半导体表示,该贸易完成后,它将在全世界产能受限 情况下控制部分SiC器件 整个供应链。
据“GaN世界” 报道,按照这个估算若循续渐进采用SiC后,平均 辆Tesla 纯电动车就需要 片 英寸SiC晶圆。今年,特斯拉全年共交付新车 ． 万辆,同比攀升 ． ％,离预定 零万辆 交付目标仅差 零辆。
据了解,特斯拉Model 逆变器集成了意法半导体 SiCMOSFET 功率模块,该主逆变器需要 个电源模块,每个电源模块均基于两个碳化硅MOSFET裸片,每辆汽车总共有 个SiCMOSFET裸片,此外,包括OB 慢充充电器、快充电桩等,都可以放上SiC。
据了解,目前市场上 SIC晶圆绝大部分都是 英寸和 英寸,极少有厂商能 英寸SiC晶圆。而上述因素又导致了SiC价钱高昂,且随着需求增加,SIC 价钱多次上涨,应用和推广难度就更大了。目前,SiC器件 价钱是Si器件价钱 到 倍。
日本半导体制造商罗姆在ROHMApolloCo．,Ltd．（总部位于日本福冈县）筑后工厂投建 新厂房于近日完工,并将于本月开始搭配 设备,以满足电动车等用途 碳化硅（SiC）电源控制芯片产能。
有资料统计显示,目前全世界SiC硅晶圆总年产能约在 零～ 零万片。
未来 到两年供需失衡没有悬念
标签，半导体
根据半导体时代产业资料统计中心出具 《今年国内第 代半导体碳化硅晶片行业分析报告》资料统计显示， 零 零上半年全世界半导体SiC晶片市场份额,美国CREE出货量占据全世界 ％,日本罗姆子公司SiCrystal占据 零％,II－VI占 ％；国内企业天科合达 市场占有率由去年 ％上升至今年 ． ％,山东天岳占比为 ． ％。
此外,SiC本身属于硬脆性材料,由其制成 晶圆,在使用传统 机械式切割晶圆划片时,极易产生崩边,影响产品良率及可靠性。
此外,狗粮快讯网近期发表,有分析指出,狗粮快讯网发回 报道,未来 到两年,除了常规 需求讲持续外, 系列因 Wi－Fi 布局而衍生 新兴应用也会持续拉升相关SiC元器件需求,供应链供需失衡态势基本没有悬念。
海通证券预测,因为主流豪华汽车品牌开始量产采用碳化硅方案 车型,这将大幅提升Cree等衬底厂商 英寸线 产能利用率,到 零 年碳化硅器件价钱有望下降到当前水平 ／ － ／ ,此外,碳化硅有望提高 ％－ ％ 碳化硅逆变器效率,从而降低电池成本,碳化硅 经济性和性能优势将充分显现。
瀚天天成电子科技销售副总裁司马良亮表示,由于碳化硅 瓶颈尚未解决,原料晶柱 质量不稳定,造成整体市场无法大规模普及。
甚至有机构预测,到 零 年全世界SiC市场将会增加到 零． 亿美元,到 零 年市场攀升 倍。
白热化竞赛中产业瓶颈待破
目前,已有多家厂商推出了面向HEV／EV等电动汽车充电器 SiC功率器件。据市场研究和战略咨询公司YoleDéveloppement（Yole）统计,这 市场在 零 年之前可保持 ％ 攀升速度。
研究机构Digitimes?Research预测,到 零 年,电动汽车用碳化硅（SiC）功率半导体将占SiC功率半导体总市场 ％以上,高于明年 ％。
罗姆相关负责人向盖世汽车表示,与 零 财年（截至今年 月 日）相比,预计 零 财年（截至 零 年 月 日） 罗姆 SiC 能力将提升 倍以上。而这将使其离 零 年拿下全世界 零％市场份额 目标更近 步。
而果真如Wedbush证券分析师DanIves称,到 零 年特斯拉 交付量可能会达到 零零万辆 话,那么,仅 个特斯拉就将消耗掉全世界SiC硅晶圆总产量。
除了产能 因素,制约SiC发展 还有技术和成本因素。
,